IGBT、GaN、SiC格鬥賽？終端產品定位仍是關鍵
- 黃女瑛／台北
功率元件包括絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、第三類半導體碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）、氮化鎵（GaN），其在電動車、充電樁、儲能、再生能源等領域的競爭愈發激烈，業者認為，目前仍由各應用產品的定位來決定，長期則由性價比來主導。
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