EUV機台

深紫外光(EUV)技術是次世代微影技術之一，其他還還包括無光罩多重電子束、浸潤式微影多重曝光技術等，EUV技術主要的開發商是設備大廠愛司摩爾(ASML)，當半導體製程技術走入20奈米或是10奈米以下，現有的浸潤式曝光(Immersion Scanner)機台就不敷使用，必須進轉到下一世代的微影技術。

浸潤式曝光機台是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到132奈米的微影技術，EUV曝光設備是利用波長極短的紫外線，在矽基板上刻出更微細的電路圖案。

目前支持EUV技術陣營包括三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、台積電、東芝(Toshiba)、全球晶圓(Global Foundries)等，其中台積電除了EUV技術之外，也投入無光罩多重電子束製程開發，顯然是多方技術壓寶；而台系DRAM廠中，目前僅有瑞晶決定採購EUV機台，預計2012年機台設備才會到位，屆時時間點當好趕上轉進20奈米製程。

目前EUV機台最為人詬病之處在於成本價格太高，加上光罩與週邊材料設備成本也相當高，對晶圓廠是很大的成本負擔，業者希望未來機台成熟度高、光罩及光阻等技術改進下能降低成本售價。

過去1台浸潤式曝光機售價約新台幣10~15億元，現在1台EUV機台售價是浸潤式曝光機的2~3倍，約1億美元，且1台設備恐怕只能用來轉換1萬片的12吋晶圓，現在1座12吋晶圓廠少則3~5萬片，多則12~15萬片，未來轉進20奈米製程的代價相當貴。

ASML投入EUV機台技術的開發費用已超過10億歐元，第1代EUV機台NXE3100已陸續出貨，預計2012年將推出量產型機台NEX3300。(連于慧)