Buried Wordline

Buried Wordline(埋入式閘極字元線連結)是德系記憶體大廠奇夢達(Qimonda)研發的DRAM技術，也是當初奇夢達嘗試從溝槽式(Trench)技術轉型至堆疊式(Stack)技術的新開發技術。

當時奇夢達是全球最後1個使用溝槽式技術的DRAM廠，但溝槽式技術即將面臨技術瓶頸，預計在最多只能再微縮到58奈米製程技術，因此奇夢達在58奈米製程技術之下，要開始轉用堆疊式技術，Buried Wordline技術的概念就是將字元線埋在晶圓表面之下，使線路排列更為緊密，因而縮減尺寸降低生產成本。

奇夢達的Buried Wordline技術2008年底成功在試產65奈米製程，生產1Gb的DDR2產品，且46奈米產品已在實驗室進行研發完成，46奈米的Buried Wordline 技術與58奈米技術相較，增加的晶圓數量可達1倍。

再者，奇夢達原本也計劃和日系大廠爾必達(Elpida)利用Buried Wordline技術來開發新一代的記憶體晶片，由奇夢達提供Buried Wordline做基礎，甫以爾必達的堆疊技術，加速雙方研發DRAM 4F2技術的產品藍圖，更進一步推展至30奈米世代。

原本奇夢達計劃在2009年中量產46奈米的Buried Wordline 技術，但因為財務持續惡化問題，奇夢達在2009年3月就宣布破產，把Buried Wordline技術發揚光大的心願則是未能如願。(連于慧)