DRAM大廠製程演進情況

目前各DRAM大廠陣營製程演進的腳步不一，速度最快的是三星電子(Samsung Electronics)，從56奈米製程往46奈米製程微縮後，目前46奈米製程已大量交貨，第4季最新一代的35奈米將開始試產問世，預計成本可較上一代46奈米再減少30%；而DRAM大廠海力士(Hynix)也不遑多讓，目前DRAM主流製程為44奈米，也將快速往30奈米製程前進。

在美系廠商方面，美光(Micron)目前主流製程是50奈米製程，合作夥伴南亞科和轉投資的華亞科預計第4季50奈米製程的2Gb產品將大量出貨，同時美光和南亞科也會早一步快速轉進42奈米製程，以追上三星的製程微縮腳步，預計2011年美系陣營中，42奈米製程會是主流。

在日系陣營方面，爾必達(Elpida)和轉投資的瑞晶會最快導入45奈米製程，並且快速進入量產，力晶受制於浸潤式曝光機台(Immersion Scanner)之故，大約會比瑞晶晚一季導入45奈米製程，目前瑞晶和力晶的主力製程仍是63奈米；而在茂德方面，由於2010年才加入爾必達陣營，目前正處於大量導入63奈米製程階段，2011年才會往45奈米前進。

2011年40和30奈米將成為DRAM產業的主流，屆時2Gb晶片將取代1Gb晶片成為主流容量，三星的35奈米製程量產後，2Gb容量的DDR3成本將趨近於1美元，也驅動整個產業成本下降的速度。(連于慧)