三五族化合物磊晶技術

就磊晶片之製程技術來看，砷化鎵(GaAs)屬於化合物半導體，在化合物半導體元件製作上，主要的磊晶長成方式有四種：液相沈積(LPE)、氣相磊晶(VPE)、分子束磊晶(MBE)及有機金屬氣相磊晶(MOCVD)。目前市場上多用MOCVD技術生產HBT，而MBE則用於MESFET及pHEMT上。

MBE採用真空蒸餾方式進行磊晶生長，蒸發的分子以極高熱速率，直線前進到磊晶基板上，再以快門阻隔的方式，控制蒸發分子束，獲得超陡介面。由於MBE成長過程精確度高，可達到單原子層，較容易長成超結晶格子結構，並掌控極為精確的組成變化。例如應用於光通訊市場的磷化銦(InP)，採用MBE技術再磊晶薄度控制上遠優於MOCVD。

隨著光通訊需求增溫，相關化合物特性研究發現，InP再較低的反射率下，表現效果較砷化鎵更好，且InP的通訊晶片之傳輸速度已超越其他射頻通訊材料，成為高速光纖網路及儀器設備射頻元件主流。此外，InSb具有最高反射率與最好的質量特性，已經成為下一代太陽能與紅外線探測器之主力材料。

在此前提下，英特磊具備三五族化合物族群開發能力，將有助於鞏固其市場地位，目前除提供砷化鎵、磷化銦及銻化鎵(GaSb)基底的磊晶片，亦持續研究其他化合物半導體材質，如：1)大直徑銻化鎵、銻化銦(InSb)晶體，用於製成4~6英吋(100~150mm)基板；2)上達28G高速面射型雷射磊晶片(VCSEL)，用於資料傳輸；3)MBE技術成長三五族多重接面聚光型太陽能電池(CPV)。(洪綺君)