多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)

多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)是一項由台積電於2009年6月18日正式對外發布的28奈米技術，同時配合配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)製程，將32奈米製程所使用的多晶矽氮氧化矽氮氧化矽(Silicon Oxynitride，SiON)材料延伸至28奈米製程。透過多晶矽氮氧化矽材料實現低耗電、高效能製程。

藉由應變矽(straining engineering)與極具競爭力的氧化層厚度最佳化的氮氧化矽材料所產出的電晶體，與前一世代的45奈米製程技術相較，不但速度提高25%~40%，操作功耗減少30%~50%，還擁有低待機及低操作功耗的優勢。

此一製程技術的優勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統類比/射頻/電子熔線(analog/RF/electrical fuse)元件、低電阻-電容延遲(low-RC)的低介電質銅導線(Cu-low-k interconnect)。