KLA-Tencor推出4款全新量測系統

KLA-Tencor公司針對次10奈米(sub-10nm)積體電路(IC)元件的開發和量產推出4款創新的量測系統，Archer600疊對量測系統，WaferSight PWG2圖案化晶圓幾何形狀測量系統，SpectraShape 10K光學線寬(CD)量測系統和SensArray HighTemp 4mm即時溫度測量系統。

拓寬KLA-Tencor的獨家5D Patterning Control Solution應用，提升包括self-aligned quadruple patterningSAQP及極紫外(EUV)微影在內的先進圖案成形技術。

KLA-Tencor行銷總監Oreste Donzella指出，為了解決圖案成形誤差，晶片製造商需量化製程變化，區別變化產生的原因並從根源解決問題。全新量測系統可以為客戶提供關鍵的數據，協助工程師確認微影製程中具體的曝光機校準，以及蝕刻、薄膜和其他製程模塊的製程改進。

推出的全新疊對量測，圖案晶圓幾何形狀，光學線寬和即時溫度測量系統對於提升193i多重曝光性能和早期EUV微影基線數據收集都極為重要。

Archer 600採用全新光學系統和新型測量標靶，展延以影像基礎的疊對量測技術，幫助先進的邏輯電路和記憶體晶片製造商實現小於至3nm(sub-3nm)的疊對誤差。

創新的ProAIM標靶技術可以更好地抵禦製程變化干擾，藉此增加目標和元件之間疊對誤差的相關性，並實現更精確的疊對測量。 Archer 600的新型光學技術，包括亮度更高的照明和偏振模組，能夠在不同的製程材料中(從薄光阻層到不透明硬遮罩材料)實現更嚴密的疊對誤差反饋和控制。透過提高生產率，Archer 600可以增加疊對誤差的採樣，提升曝光機的校準或是產線異常偏移的辨識。

WaferSight PWG2提供晶圓應力和形狀均勻性的全面資料，在膜沉積，退火，蝕刻和其他製程中被用於檢測和一致化製程參數。憑藉顯著的產能提升，WaferSight PWG2可以在生產中提高晶圓取樣，協助晶片製造商識別和修復由製程引起的晶圓應力變化，並消除隨之而來的圖案成形和良率問題。

由WaferSight PWG2提供的晶圓形狀資料，可以被前饋到曝光機，並用於消除由於晶圓應力引起的疊對誤差，這對於3D NAND快閃記憶體元件的製造尤為重要，因其採用的厚膜堆疊技術可能造成晶圓的變形。憑藉獨特的垂直晶圓支載，WaferSight PWG2可同時測量晶圓的前後表面，提供晶圓平坦度和形貌資料，用以提升對曝光機掃描聚焦的預測和控制。

SpectraShape 10K光學量測系統在蝕刻，化學機械研磨(CMP)和其他製程步驟之後測量複雜IC元件結構的CD和三維形狀。為了全面表徵元件結構，SpectraShape 10K採用了多種光學技術，包括橢圓測厚儀的全新偏振能力和多角入射，以及反射計的TruNI照明新型高亮度光源。

這些技術保證了該系統可以精確地測量許多與FinFET和3D NAND元件相關的關鍵參數，例如CD、高度、SiGe形狀和channel hole bow profile。SpectraShape 10K具有比上一代產品更高的產能，這協助客戶透過增加採樣實現更為嚴格的製程控制，同時也可以滿足多重曝光技術所需要的數目繁多的製程檢測。

Archer 600、WaferSight PWG2、SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm與KLA-Tencor的5D Analyzer高級數據分析系統相結合，支持實時製程控制，並為工程監控分析提供了有力工具。

為了保持IC製造所需的高性能和高產能，KLA-Tencor的全球綜合服務網站為Archer 600，WaferSight PWG2，SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm系統提供後援支持。