氮化鎵電源IC當道 取代矽電晶體

Power Integrations, Inc.高級市場部經理李子俊。

在電源管理領域，基於氮化鎵(GaN)的電源管理元件扮演的角色分量日重，因為相較於矽，GaN具有更佳的效率且尺寸能進一步縮小。預期矽電晶體將快速轉換為GaN，Power Integration(PI)此前已積極布局基於GaN的新型電源IC。PI高級市場部經理李子俊指出，InnoSwitch3的氮化鎵系列產品推出，使得PI成為離線式切換開關IC市場的技術佼佼者。

PI持續力推GaN技術，希望能將這項技術推廣到更多的應用中，例如行動裝置的USB PD充電應用。新的USB PD充電標準搭配Type-C連接器，可以為各種行動裝置提供高達100W的功率，而隨著手機品牌商企圖以充電速度做為手機差異化訴求之一，可以想見基於USB PD的快速充電需求也將水漲船高。

針對USB PD快充應用，PI所推出基於GaN的InnoSwitch3系列IC，不僅可以滿足行動裝置對於快充效率的期待，並且能解決散熱問題，且體積可以進一步縮小。

李子俊說明指出，在快速充電應用中，效率非常重要，然而體積太小易造成散熱不好，進而影響效率，PI的InnoSwitch3系列IC適足以克服小體積與散熱之間的衝突，保持極佳的效率水準。值得一提的，PI InnoSwitch3產品的高整合度，可以使得高功率充電器的設計進一步簡化，並且減少元件數量。

PI最近又為InnoSwitch3新增一生力軍，推出氮化鎵系列恆壓/恆流離線反激式開關電源IC。拜PI自主開發的高壓氮化鎵開關技術所賜，這顆新IC可在整個負載範圍內提供94%的高效率，且在密閉適配器內、於不使用散熱片的情況下，可提供100W的功率輸出。

李子俊強調，此一InnoSwitch3元件以GaN切換開關取代IC一次側的傳統矽高壓電晶體，可減少電流流過時的導通損耗，並大大降低運作期間的切換損失，實現矽開關無法達到的功率密度水平。