ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET系列

ROHM推出4引腳封裝SiC MOSFET「SCT3xxx xR 系列」降低35%開關損耗有助實現低功耗應用。

半導體製造商ROHM推出6款溝槽閘結構SiC MOSFET「SCT3xxx xR 系列」產品(耐壓650V/1200V)，適用於有高效率需求的伺服器電源、太陽能變流器及電動車充電站等應用。此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L)，可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關效能。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比，開關損耗可減少約35%，有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。另外ROHM也已開始供應SiC MOSFET評估板「P02SCT3040KR-EVK-001」，其內建適合驅動SiC元件的ROHM閘極驅動器IC(BM6101FV-C)、各類電源IC及離散式產品，是一款容易進行元件評估的解決方案。

近年來隨著AI和IoT的發展，雲端服務的需求日益增加的同時，全球對資料中心的需求也隨之成長。資料中心所用的伺服器正朝著大容量、高效能方向發展，因此降低功耗便成為必須面對的問題。另一方面，傳統伺服器的功率 轉換電路中，主要是採用矽(Si)元件，但目前市場對損耗更低的SiC元件寄予更高的期望。尤其，與傳統封裝相比，採用TO-247-4L 封裝的SiC MOSFET，可降低開關損耗，因此有望用於伺服器、基地台、太陽能發電等高輸出設備。既2015年ROHM領先全球成功量產溝槽閘結構SiC MOSFET後，此次開發出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會在開發各種革新性元件的同時，推出適合SiC驅動的閘極驅動器IC解決方案，降低各類設備的功耗。

採用4引腳封裝(TO-247-4L)，開關損耗減少約35%

在傳統的3引腳封裝(TO-247N)中，源極引腳的電感成分易引起閘極電壓下降，並延遲開關速度。本次SCT3xxx xR系列所採用的4引腳封裝(TO-247-4L)，可分離電源源極引腳和驅動器源極引腳，因此可減低電感成分的影響，充分發揮SiC MOSFET高速開關的效能，還且還能夠大幅改善導通損耗。且與傳統產品相比，導通損耗和關斷損耗合計約可減少35%的損耗。