放慢導入High NA EUV Rapidus效法台積穩紮穩打 智慧應用 影音
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放慢導入High NA EUV Rapidus效法台積穩紮穩打

  • 梁燕蕙綜合報導

ASML日前在IMEC的ITF World 2024大會上宣布,其首台高數值孔徑(High NA)極紫外光(EUV)曝光機,現已創下新的晶片製造密度紀錄,超越了2個月前創下的數值。ASML前總裁兼技術長Martin van den ...

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