NVIDIA新晶片延遲打亂算盤 三星HBM面子沒贏、賺了裡子
- 韓青秀/台北
三星電子(Samsung Electronics)何時啟動供貨HBM3E給NVIDIA一直是外界關注焦點,三星雖然還未證實此事,但另一個管道的急單需求卻讓三星成為最大受益者。
NVIDIA的新AI晶片出貨延遲,傳出出貨時間恐將延後3個月,雖然相關AI伺服器供應鏈認為,對營運影響及衝擊有限,但積極要打入NVIDIA供應HBM3E的三星電子卻是福禍難料,隨著大客戶新品供應延後,恐將波及三星加入供貨行列的如意算盤,
不過近來業界也傳出,隨著中國CSP(Cloud Service Provider)業者擔憂美國下達禁令管制,紛紛提前大量囤貨HBM庫存,雖然三星在檯面上未能通過NVIDIA認證,有傷記憶體龍頭大哥的尊嚴,但中系客戶的急單需求,已為三星帶來豐厚的利潤。
記憶體業界人士指出,NVIDIA的Blackwell傳出設計缺陷影響出貨進度,打亂了三星原定第3季通過認證出貨的如意算盤。
而三星供貨HBM3E的最大意義,在於NVIDIA希望藉由增加更多產能供應,藉此壓抑現有HBM供應商的價格,故何時供貨的考量點並非單純出自於技術或散熱是否過關,更多的是基於商業策略的考量,取決於市場動態調整的變化,隨著2024年下半新一代旗艦GB200出貨進度延遲,增加更多HBM供應的必要性也將重新考慮。
受惠於AI商機帶來紅利,記憶體大廠營運持續復甦成長,市場預期,在HBM需求急增以及DDR5滲透率提升帶動下,整體DRAM產品均價將持續上漲,2024年平均漲幅約達5~6成以上,儘管基期已拉高,但2025年仍有機會維持3~4成的漲幅,HBM將是直接牽動DRAM產業供需及價格走勢的關鍵。
據估計,8層堆疊的HBM平均價格約較DDR5約高出5倍,而業界HBM的良率仍有很大的改善空間,以及AI伺服器推動記憶體需求增加,帶動HBM在整體DRAM產能及產值的比重逐年提升,預計2025年在DRAM總產能比重將超過10%,而產值貢獻將可望超過30%以上。
因應AI算力的重要性與日俱增,業界頻頻傳出,美國可能將祭出管制新規,不排除限制記憶體業者向中國出口HBM措施,導致華為、百度等中系大廠更加積極囤貨,或輾轉透過不同管道大力採購。
但以DRAM三大廠而言,美光(Micron)如今仍面臨中國禁令限制,在中國市場影響力大幅降低,加上本身HBM產能規模最小,無法且無力經營中國HBM市場。
至於SK海力士(SK Hynix)作為NVIDIA的HBM首要供應商,HBM產能幾乎被大客戶綁死,產能分配額度早已排滿2025年,使得三星趁機大啖中國HBM囤貨商機。
市場傳出,由於中國業者擴大對AI相關晶片採購,三星2024年上半的HBM 晶片營收貢獻約有3成來自中國;相較於NVIDIA對供應商一貫的強勢作風,中系客戶面臨美國禁令的不確定壓力,加上本土HBM自製能力尚未到位,其議價空間將比NVIDIA更具誘因。
儘管先前業界傳出,三星可望在第3季順利通過NVIDIA認證後,將立即啟動量產供貨,但三星對外仍頻頻否認傳聞,讓相關供應鏈業者霧裡看花,進而揣測可能與中國市場銷售供應有關。
另一方面,美系CSP大廠也不願AI晶片長期遭到NVIDIA壟斷把持,並有意與超微(AMD)共同開發下一代產品,雖然AMD未來數年市佔率仍無法正面抗衡NVIDIA,但三星已打入AMD供應鏈,因而確保HBM3E新品的應用出海口。
雖然中國記憶體業者如長鑫存儲積極發展HBM,甚至已開發出相關樣品,並啟動新廠建造,母公司睿力集成也有意藉著地方政府支持,發展HBM封裝所需的矽穿孔(Through Silicon Via;TSV)技術。
至於武漢新芯也有意從NOR Flash跨足HBM,計劃以打造國產HBM產品為目標,但中國業界人士認為,中國本土HBM的良率與技術發展仍遠遠落後三大DRAM廠,估計仍需發展2~3年才有望看到成果,若不顧生產成本及量產良率等因素,只求國家政策的宣示意義,終究不利於產業正常發展。
責任編輯:陳奭璁