英飛凌推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V

如今，許多工業應用可以透過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水準過渡。為滿足這一需求，全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體。該產品系列適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10A至80A，是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。
 
新款產品系列採用 TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，間隙距離為5.4 mm，再加上高達80 A的額定電流，顯著提升了功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水準，而元件數量僅為 1200 V SiC解決方案的一半。這簡化了整體設計，實現了從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩過渡。

此外，CoolSiC蕭特基二極體2000V G5採用.XT互連技術，大大降低熱阻和阻抗，實現了更好的熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極體對濕度的耐受性。該二極體沒有反向或正向恢復電流，且具有正向低電壓的特點，確保系統效能更優。

2000 V 二極體系列與英飛凌於 2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000 V完美適配。CoolSiC 二極體2000 V產品組合將透過提供TO-247-2封裝而得到擴展，該封裝將於2024年12月推出。此外，英飛凌還提供了與CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的閘極驅動器產品組合。

採用 TO-247PLUS-4 HCC 封裝的 CoolSiC 蕭特基二極體2000 V G5 系列及其評估板現已上市。瞭解更多資訊，敬請瀏覽英飛凌官網了解更多。