美中軍用SiC脫勾多時 隱形戰機偵測成博弈焦點
- 黃女瑛／台北
-
第三類半導體碳化矽（SiC）材料，可應用於軍事領域，實際上，美、中雙方軍用SiC相關供應鏈，已完全脫鉤數年，在此期間，偵測隱形戰機的雷達成了彼此私下較勁的重點。
供應鏈業者指出，SiC料源主要分為導電型及半絕緣型。簡單來看，兩者差異就在摻入的材料成份調配。所以，多數來說，只要擁有任一款的SiC長晶技術，要發展另一方顯得輕而易舉。
另外，美國近期針對中國成熟半導體製程，與SiC供應鏈啟動「301條款調查」。此次調查範圍，以應用於電動車、再生能源逆變器等導電型SiC為主。
部份業者私下戲稱，中國SiC產業有現下成就，就是拜美國所賜。因為早在川普1.0時期，美國SiC料源仍主導全球之際，就對SiC出口進行管制，重點就在軍事用的半絕緣SiC。
其中，禁止其SiC料源出口至中國，至於其它國家業者的採購、則必須揭露應用領域及終端客戶名稱。因此，就SiC軍事應用領域的視角來看，美、中已完全脫鉤多年。
業者表示，脫鉤期間，美、中雙方在軍事用半絕緣SiC發展私下較勁力道愈來愈強。
尤其使用碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）元件或模組的軍用雷達，才能有效偵測到隱形戰機，這是雙方投入重點項目。畢竟身處國際動盪的時代，各國都擔心敵軍戰機躲過偵測、有效跨境探訪。
由於軍事戰力與國家安全劃上等號，所以，在成本評估上，也異於一般商業考量，政府會盡其所能支持。
業者透露，川普1.0時期的SiC管制禁令，被認為是刺激中國SiC加速發展的主要動力。
因為美中關係緊張，彼此不斷強化軍備競賽，所以近幾年，中國稱得上「不計代價」發展SiC，尤其是半絕緣領域，同步帶動上述導電型SiC產業發展。
近期中媒揭露，中國兩大SiC晶片代表廠山東天岳及山西爍科，陸續揭露其12吋高純半絕緣SiC晶片進度。
前者於近一季德國慕尼黑半導體展首度亮相，後者即在近期成功研製。預估2027年中國將投入12吋小規模量產。
而中國視2025、 2026年為8吋SiC快速成長期，同期率先跨入8吋量產的美國SiC龍頭Wolfspeed，卻因設備折舊費用大、生產良率掌控度不佳等因素，陷入經營壓力。
業者認為，當然，中系廠展示12吋SiC晶片進度，或有更高成份，是為了展現科技肌肉，是否真會在2027年投入量產，仍是未知數。
畢竟現下中國SiC料源正陷入供過於求的窘境，主流的6吋成為重災區。
這使政府為掌控市場秩序，限制8吋生產路條的發放，因未取得路條者無法向銀行貸款，也無法爭取公家標案，這使不少已投入8吋研發的業者，被迫先止步觀望，這恐讓12吋SiC更遙不可及。
