意法半導體發布碳化矽太陽能解決方案

意法半導體發佈碳化矽太陽能解決方案，新功率產品組合透過碳化矽技術的能效優勢，提高太陽能發電率。

意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發布碳化矽產品創新成果，協助系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。

意法半導體已於近期在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會(Solar Power International 2012)展出1,200V碳化矽二極體。該產品可取代DC-DC升壓轉換器和DC-AC逆變器所用的一般二極體，把太陽能模組的低壓輸出電能轉換成高品質的電網電壓AC電能。

作為太陽能發電應用二極體的基本材料，碳化矽二極體的各項技術指標皆優於一般雙極二極體(silicon bipolar)技術。碳化矽二極體導通與關閉狀態的轉換速度非常快，而且沒有普通雙極二極體技術開關時的反向恢復電流。在消除反向恢復電流效應後，碳化矽二極體的能耗可降低70%，在寬溫度範圍內保持高能效，並提高設計人員最佳化系統工作頻率的靈活性。

意法半導體的1,200V碳化矽二極體試驗證明，即便負載和開關頻率很高，逆變器總體能效仍然提高2%。在逆變器的已定使用壽命內，2%的能效可為家庭太陽能發電系統和大功率發電站節省數兆瓦小時的寶貴電能。

意法半導體並發布了碳化矽MOSFET專案的最新發展。意法半導體的碳化矽MOSFET將是全球首批商用碳化矽MOSFET，因為有諸多優點，預計將會取代太陽能逆變器中的高壓矽絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)。除了可比IGBT降低50%能耗外，碳化矽MOSFET無需特殊的驅動電路，且工作頻率更高，這讓設計人員能夠盡可能減少電源元件數量，降低電源成本和尺寸，並提高能效。