Entegris NMB過濾器降低晶圓污染率

在半導體製造方面，化學機械拋光(或CMP)步驟係在各層互連結構之間隨著裝置建置用於平坦化、或產生一層形貌。由於漿料內含的微細顆粒提供達成最終表面結果所需的磨料，用於CMP之拋光漿料為取得良好成果的關鍵。訣竅是在拋光製程期間讓漿料內的作業中顆粒保持不變，同時移除造成平面狀況不均勻而更加可能在裝置層產生污染的任何大型漿料顆粒結塊。漿料裡的凝膠型顆粒也會容易在CMP製程中形成，使其本身產生污染。最後，為了達成所欲成果，必須管控顆粒與凝膠污染狀態，致使不會降低漿料流量並使過濾器造成壓損提升。流量是液體通過過濾器一段時間的體積度量。壓損是達成給定流量所需的壓力度量。降低壓損可用創新的介質設計及新的結構材料來達成。

諸如Entegris所製造的CMP過濾介質，長期以來在CMP製程中保持需要的漿料特性。然而，隨著裝置幾何尺寸縮減，高階漿料中使用的磨料尺寸也跟著縮減，大致朝sub-50nm顆粒尺寸移動，而且在一些特定應用中還達到個位數奈米尺寸。然而，隨著磨料顆粒尺寸縮減，漿料產生的污染也增加其可能性，所以，CMP過濾器顆粒截取率必須降到愈來愈緊密的孔徑大小，過濾器設計也是一樣 (其目前常需要多層介質才能達到最佳效果)。然而，用於最高階拋光漿料的這些CMP過濾器在使用標準介質類型時通常會導致漿料流量降低。

Entegris已針對高階拋光漿料開發出在介質多孔性獲得改善之Nano Melt Blown(NMB)過濾介質，其解決了過濾期間流量降低的相關問題。隨著「剪力」效應大幅降低，大型顆粒結塊之風險亦經由NMB介質之使用而降低。NMB介質之大量顆粒截取能力也可延長過濾器使用壽命，降低過濾過程的總持有成本。Entegris產品也可配合更緊密的截取率使用，並且能夠在需要更大顆粒容量的大量？化學輸送系統應用中用於過濾。