瑞薩電子推出低損耗、超迷你型功率MOSFET，為可攜式裝置提供更高的能源效率及更小的外形尺寸

2mm x 2mm封裝及領先業界的低導通電阻，有助於縮小尺寸並降低重量，最多可縮小40%安裝面積。

先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子宣布：推出專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品所設計之8款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品。上述新款裝置包括20 V (VDSS) µPA2600與30 V µPA2601，皆具備領先業界的低損耗(低導通電阻)效能，並採用超小型2mm x 2mm封裝，可為小型行動裝置提供更高的能源效率及小型化。

隨著高功能性智慧型手機大受歡迎，以及使用者對於這些手持裝置無縫體驗的使用期待，市場對於外形尺寸更短小輕薄、耗電量更低以提供更長電池使用時間的需求持續升高。為符合上述需求，研發人員轉而尋求具備更低導通電阻的功率MOSFET，以應用於大電流之充電/放電控制、RF功率放大器開/關控制，以及過電流截斷開關。

新款µPA2600與µPA2601 MOSFET能使可攜式裝置更加小型化，並提供領先業界的低導通電阻，同時在多種應用中縮小安裝面積，包括負載開關(開啟或關閉供應至IC的電源)、可攜式裝置中的充電/放電控制，以及RF功率放大器(高頻率訊號放大器)中的開/關控制與過電流截斷開關。

各種裝置類型具備不同的電壓與極性，例如功率MOSFET，必須符合智慧型手機等可攜式裝置所使用的電源供應器規格。而為了因應上述持續變動的需求，瑞薩持續致力於降低導通電阻並開發更小型的封裝，同時提供更多樣化的產品系列。

新款P通道與N通道功率MOSFET的主要特色：

(1)領先業界的低導通電阻(N通道，µPA2600與µPA2601)
µPA2600與µPA2601 MOSFET採用2mm × 2mm超小型封裝，20V (VDSS) µPA2600裝置可達到9.3mΩ (VGSS=4.5V時的典型值)，30V µPA2601裝置可達到10.5mΩ (VGSS=10V時的典型值)，可為終端產品提供省電效果。

(2)小型封裝可縮小安裝面積
瑞薩將大區域高效能晶片放入迷你封裝，因此能夠採用2mm x 2mm的超小型封裝，並使用裸露的散熱迷你封裝，如此可有效地將封裝的熱能透過載板散發。相較於現有3mm x 2mm封裝，µPA2600與類似的產品大約可減少30%的安裝面積，而相較於現有3mm x 3mm封裝，µPA2672與類似的產品則大約可減少40%的安裝面積。可大幅降低終端產品的尺寸與重量。

(3)多樣化的裝置系列產品
此新款P通道與N通道功率MOSFET共有八款產品，主要以可攜式裝置常見的12V與30V範圍為主：包括µPA2630在內的4款P通道產品、含µPA2600在內的3款N通道產品，以及在單一封裝內同時包含N通道與P通道裝置的µPA2690。因此，此系列產品可支援多種應用，包括充電/放電控制、RF功率放大器開/關控制及過電流截斷開關。

此外，此新款功率MOSFET為環保產品，符合RoHS指令，並且不含鹵素。

可攜式電子產品的功能持續快速地多樣化，且智慧型手機等裝置的外形尺寸也持續朝向更輕薄的方向發展，因此可用來安裝內部元件的空間也越來越小。為了因應小型化、高效能的發展趨勢，瑞薩將持續開發產品，以更小的安裝面積需求，提供與原有產品相同的效能等級，且將同時擴大其系列產品以協助可攜式裝置進一步小型化並提供更高的效能。