蝕刻技術

蝕刻技術(etching technology)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)及乾蝕刻(dry etching)兩類。

在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，電漿蝕刻中的蝕刻作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。

在航空、機械、化學工業中，蝕刻技術廣泛地被使用於減輕重量(weight reduction)，儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

濕蝕刻進行時，溶液中的反應物首先經由擴散通過停滯的邊界層(boundary layer)，方能到達晶片的表面，並且發生化學反應與產生各種生成物。蝕刻的化學反應的生成物為液相或氣相的生成物，這些生成物再藉由擴散通過邊界層，而溶入主溶液中。

就濕蝕刻作用而言，對一種特定被蝕刻材料，通常可以找到一種可快速有效蝕刻，而且不致蝕刻其他材料的蝕刻劑(etchant)，因此，通常濕蝕刻對不同材料會具有相當高的選擇性(selectivity)。

然而，除了結晶方向可能影響蝕刻速率外，由於化學反應並不會對特定方向有任何的偏好，因此濕蝕刻本質上乃是一種等向性蝕刻(isotropic etching)。濕蝕刻不但會在縱向進行蝕刻，而且也會有橫向的蝕刻效果。

乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，由於蝕刻作用的不同，電漿中離子的物理性轟擊(Physical Bomboard)，活性自由基(active radical)與元件(晶片)表面原子內的化學反應，或是兩者的複合作用。(江凱狄)