三星半導體新研發園區將啟動 加速次世代記憶體競賽
- 范維君／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）的未來半導體技術研發新園區，傳即將於11月中旬正式啟用，且計劃從2024年11月起，導入最先進設備，加速1d DRAM、3D NAND Flash等新一代記憶體開發。韓媒ZDNet ...
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