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創新力搭配完整產品佈局 SEMICON 2024盛美展現強大技術能量

  • 尤嘉禾台北

Ultra ECP ap-p面板級先進封裝電鍍設備。盛美
Ultra ECP ap-p面板級先進封裝電鍍設備。盛美

IC尺寸走向微小化,架構也日趨複雜,在此態勢下,清洗和電鍍等關鍵製程設備的重要性與日俱增,在快速變化的產業環境中,盛美半導體持續透過獨特清洗技術和先進電鍍設備,協助客戶強化產線效能,在SEMICON TAIWAN 2024中,就將展示其創新能力與完整解決方案技術成果,就可看出該公司在半導體設備領域的強大技術能量。

盛美成立於1998年美國矽谷,2005年正式落腳上海張江科技園區,以差異化國際競爭、原創創新策略,搭配完整的智慧財產權體系,開發出多款高品質半導體製程設備,包括全球首創的SAPS/TEBO兆聲波清洗技術和Tahoe單晶片槽式組合清洗技術,盛美2017年於美國NASDAQ掛牌,旗下產品也陸續為全球各大半導體客戶採用,SEMICON TAIWAN 2024首次亮相的Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備,Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備以及首次公開發布的面板級邊緣蝕刻設備,即是該公司三大差異化創新點產品。

Ultra C vac-p面板級先進封裝負壓清洗設備。盛美

Ultra C vac-p面板級先進封裝負壓清洗設備。盛美

Ultra C bev-p面板級先進封裝邊緣清洗設備。盛美

Ultra C bev-p面板級先進封裝邊緣清洗設備。盛美

差異化創新技術進軍面板級先進封裝

近期,盛美通過推出兩款面板級設備,成功進軍高成長的扇出型面板級封裝市場。在電鍍領域,盛美首創推出的Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備採用盛美全球首創的差異化自主研發的水平電鍍,確保面板具有良好的均勻性和精度,並能有效減少不同電鍍液之間的交叉污染,可作為具有微米及亞微米RDL和微柱的先進大型面板封裝的理想選擇。該設備相容有機基板和玻璃基板,可用於銅柱、鎳和錫銀(SnAg)電鍍、焊料凸塊以及採用銅、鎳、錫銀和金電鍍層的高密度扇出型(HDFO)產品。

在清洗領域,盛美的Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備利用負壓技術去除晶片結構中的助焊劑殘留物,可使清洗液到達狹窄的縫隙,對於小凸起間距(小於40微米)和大尺寸晶片也能有效處理,從而避免殘留物影響器件性能。該設備已成功說明客戶提升清洗效率並受到肯定。

在濕法蝕刻領域,盛美的Ultra C bev-p面板級邊緣蝕刻設備利用盛美世界首創的差異化自主研發的技術,可同時對長方形面板的正反面邊緣的電鍍金屬膜進行精準蝕刻,從而提高產品良率,該蝕刻設備可以處理翹曲10mm的面板邊緣蝕刻。此外,盛美也布局了Panel顯影設備和Panel Etch設備等,進一步完善扇出型面板級封裝應用的產品線。

完整布局化身半導體客戶後盾

除了強大創新能力外,盛美的完整產品布局,也是協助半導體客戶提升良率與產能的重要助力。在清洗設備部分,盛美於2008年全球首創並推出高階單晶圓SAPS兆聲波清洗技術及設備,成功解決了兆聲波清洗能量在矽晶圓表面均勻分布的產業難題。此技術在2011年獲得全球大型IC製造客戶採用,並榮獲2020年度上海市科技進步獎一等獎。相較於國外同類非兆聲波清洗設備,SAPS設備在單步清洗的良率上高出約1%。

此外,SAPS的清洗效率比傳統超音波清洗製程更佳,且不會造成額外的材料耗損或影響晶圓表面粗糙度。同為兆聲波技術的TEBO系列,可用於清洗3D IC內部結構線路,有效清除3D立體空間內的化學藥劑與微小顆粒,該技術與公司正在研發中的超臨界CO2乾燥技術配套使用,可作為未來3D微結構清洗的理想解決方案。此技術已獲得專利保護至2040年,為盛美的重要技術。

盛美之後在此技術基礎上,陸續開發出多款系列清洗設備,且清洗解決方案不僅限於兆聲波技術,例如Nano Spray技術,就是利用氮氣物化二流體的水進行清洗。另一款Tahoe單晶片槽式複合清洗設備,整合了槽式和單晶片式清洗的優點,不僅效率高,更可節省50%~70%以上的硫酸用量,大幅降低化學品消耗和環境負擔。多樣化技術讓盛美可針對材料、製程的不同,提供最適化清洗方案,目前技術已涵蓋90%以上的半導體清洗製程環節,應用範圍包括邏輯、記憶體、功率元件等多種半導體製程,是當今世界半導體清洗設備公司中產品工藝涵蓋最廣的公司之一

電鍍設備方面, 盛美的ECP map電鍍設備是中國首台前段製程高階銅鑲嵌互連電鍍設備,也使盛美成為全球少數掌握晶片銅鑲嵌互連電鍍銅技術核心專利並實際量產的廠商之一。盛美的ECP map可滿足55nm、40nm、28nm及20~14nm以下製程節點的前段銅鑲嵌互連雙重鑲嵌製程需求,已成為全球第二前道電鍍設備供應商,技術已達到中國領先和國際先進水準。

在熱製程設備領域,盛美的Ultra Fn A為新型熱原子層沉積(ALD)立式爐管設備,可沉積氮化矽(SiN)和碳氮化矽(SiCN)薄膜。目前主要應用於28奈米邏輯製程,用於製造側壁間隔層(spacer)。此外因應成熟製程需求,盛美推出了Ultra Pmax電漿體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,主要用於邏輯和記憶體晶片製造。此設備擁有自主智慧財產權的腔體、氣體分配裝置和晶圓承載座設計,提供單腔體和多腔體兩種配置,可靈活因應不同產能需求。

盛美在半導體設備領域已有完整全面布局,從前段製程到後段封裝,從成熟製程到先進製程,皆有對應解決方案。未來將透過完整多元的產品線搭配創新能力,持續協助客戶強化競爭優勢,掌握龐大的半導體商機。


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